1、根据公司的新品开发计划，独立负责IGBT、FRD、MOS等功率器件产品的设计开发； 2、制定并负责实施相关新品开发计划，保证计划的顺利完成； 3、负责相关产品的设计文件、工艺文件和封装测试文件的拟制； 4、与市场、运营、质量等相关部门人员进行沟通和协调，对反馈信息进行技术论证，提出改进方案确保及时解决问题； 5、完成上级布置的其它任务。 任职资格: 1、掌握IGBT、FRD、MOS等功率器件原理和设计方法 ； 2、掌握半导体器件的制造过程和方法 ； 3、掌握主流TCAD仿真软件的使用； 4、掌握Cadence版图设计软件的使用； 5、掌握QFD、DOE、SPC、8D、FMEA、FA相关知识及应用； 6、掌握IGBT、FRD、MOS等功率器件电气参数的测试方法 ； 7、微电子及相关专业本科或者硕士以上学历，2年以上功率器件产品设计开发经验。 职能类别：集成电路IC设计/应用工程师