职位描述
岗位职责:
1、新型存储器(FeRAM、MRAM、RRAM)或SRAM架构和电路设计，根据项目需求定制IP；
2、 负责电路设计、仿真、流片、测试计划；
3、指导版图工程师完成版图，并协助电路失效分析，良率可靠性改善；
4、开发完成技术资料和产品文档的编写、维护和归档等工作。
任职要求:
1、电子信息相关专业，硕士及以上学历；
2、5年以上存储器电路设计经验，有流片量产开发经验，对新型存储器电路设计和优化有深刻理解；
3、熟悉半导体产业链，熟悉新型存储器的设计；
4、具有FeRAM、MRAM、RRAM研发经验；
5、熟悉全定制电路设计仿真工具，Hspice/XA/finesim/Virtuoso；
6、具有良好的团队合作精神，善于学习和思考；良好的沟通能力和学习、工作能力。